获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法(关于获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法的简介)

大家好，获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法，关于获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法的简介很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

1、《获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法》是上海华虹NEC电子有限公司于2009年5月26日申请的发明专利，该专利申请号为200910057313X，公布号为CN101901767A，专利公布日为2010年12月01日，发明人是肖胜安。 

2、2017年12月11日，《获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法》获得第十九届中国专利优秀奖。 

3、《获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法》公开了一种获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法，步骤一、在N+基板上进行第一次N型外延成长；步骤二、刻蚀所述N型外延层，在N型外延层上形成一定高宽比的沟槽穿通到N+基板上；步骤三、在所述沟槽中填入P型外延层；步骤四、利用化学机械研磨得到平坦的N型柱子和P型柱子交替出现的结构；步骤五、在步骤四形成的N型柱子和P型柱子交替出现的结构上进行第二次N型外延成长，然后重复实施步骤二至四得到更高P型沟槽高宽比的平坦的N型柱子和P型柱子交替出现的结构，直到N型外延层的厚度达到器件阻挡电压的要求。本发明能够在工艺难度不增大的条件下有效减少P型柱子占比，降低比抵抗电阻。 

4、（概述图为《获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法》的摘要附图） 

本文关于获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法的简介就讲解完毕，希望对大家有所帮助。

　　免责声明：本文由用户上传，与本网站立场无关。财经信息仅供读者参考，并不构成投资建议。投资者据此操作，风险自担。 如有侵权请联系删除！