三星推出了世界上第一款采用 12 纳米半导体制造技术制造的 DDR5 DRAM芯片。该公司透露了其 16Gb DDR5 DRAM 芯片，并表示已经对其与AMD 的Zen 处理器的兼容性进行了评估。

新芯片的能效更高，性能比上一代 DRAM 芯片高 23%。这家韩国公司表示，通过使用增加电池电容的高 κ 材料，使这一技术飞跃成为可能。三星还使用其专有技术来改进关键电路。

该公司的新型 DDR5 DRAM 芯片采用先进的多层光刻技术，可实现业界最高的裸片密度，并将晶圆生产率提高 20%。这些芯片能够提供高达 7.2Gbps 的数据传输速度，相当于在一秒钟内处理两部 30GB 的 4K 电影。

三星将于 2023 年初开始量产其 12 纳米级 DDR5 DRAM 芯片。我们可以期待在 2023 年第四季度的某个时候推出基于这些 DRAM 芯片的产品。

三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jooyoung Lee 表示：“我们的 12 纳米范围 DRAM 将成为推动市场广泛采用 DDR5 DRAM 的关键推动力。凭借卓越的性能和能效，我们希望我们的新 DRAM 成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域更可持续运营的基础。“